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FD200R12KE3价格
参考价格：￥666.3091
型号：FD200R12KE3 品牌：Infineon 备注：这里有FD200R12KE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FD200R12KE3批发/采购报价，FD200R12KE3行情走势销售排行榜，FD200R12KE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FD200R12KE3 | Technische Information / technical information 文件：172.74 Kbytes Page：9 Pages | eupec |   | |
FD200R12KE3 | 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode 文件：291.54 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：IGBT MODULE 1200V 1050W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material 文件：595.81 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：IGBT MODULE 1200V 200A 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
Hochstzulassige Werte / maximum rated values 文件：163.6 Kbytes Page：10 Pages | eupec | | ||
IGBT-Module 文件：432.08 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | |
FD200R12KE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
FD200R12KE3
- 功能描述
IGBT 模块 1200V 200A CHOPPER
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
Module |
1262 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
Infineon/英飞凌 |
1950+ |
980 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
||||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-62MM-1 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
EUPLE |
24+ |
模块 |
200 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
AG-62MM-1 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-62MM-1 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
EUPEC/欧派克 |
15+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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FCU10B60，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-15
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