FF200R12KE3价格

参考价格:¥833.1798

型号:FF200R12KE3 品牌:INFINEON AEMC REGION ASI 备注:这里有FF200R12KE3多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FF200R12KE3批发/采购报价,FF200R12KE3行情走势销售排行榜,FF200R12KE3报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FF200R12KE3

IGBT-Module

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eupeceupec GmbH

欧派克

eupec
FF200R12KE3

IGBT-Module

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

封装/外壳:模块 包装:托盘 描述:IGBT MOD 1200V 295A 1050W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

封装/外壳:模块 包装:管件 描述:IGBT MODULE 1200V 1050W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

HochstzulassigeWerte/maximumratedvalues

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eupeceupec GmbH

欧派克

eupec

TechnischeInformation/technicalinformation

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eupeceupec GmbH

欧派克

eupec

62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmConHighEfficiencydiode

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlledHEDiodeundbereitsaufgetragenemThermalInterfaceMaterial

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

FF200R12KE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FF200R12KE3

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-26 20:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
23+
模块
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
Infineon(英飞凌)
23+
NA/
8735
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    FF1400R12IP4,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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