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DF200R12KE3中文资料
DF200R12KE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
DF200R12KE3
- 功能描述
IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间:2024-4-25 13:30:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
EUPEC |
2023+ |
200A/1200V/I |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
EUPEC |
23+ |
200A/1200V/I |
50 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
EUPEC |
23+ |
200A1200 |
595 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
EUPEC |
23+ |
原厂原装 |
9960 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
模块 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
AG-62mm-1 |
914 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
INFINEON |
21+ |
N/A |
1214 |
全新原装现货诚信经营 |
|||
Infineon |
23+ |
NA |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
Module |
1262 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
英飞凌 |
新批次 |
N/A |
1500 |
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- IMEP1810
- IMEP1816
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- LBT14064
- LBT14066
- LBT14078
- PB-12601CB
- PB-12623ZB
Datasheet数据表PDF页码索引
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