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1.1G-BIT Lo w Latency DRAM-III Common I/O Burst Length of 4

Features • 2 cycle 800MHz DDR Muxed Address • Optional data bus inversion to reduce SSO, SSN, maximum I/O current, and average I/O power • Training sequence for per-bit deskew • Selectable Refresh Mode: Auto or Overlapped Refresh • Programmable PVT-compensated output impedance • Programmable

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-12-26 15:11:01
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