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300VN-ChannelMOSFET

Features •3.2A,300V,RDS(on)=2.2Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical5.5nC) •LowCrss(typical6.0pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

300VN-ChannelMOSFET

300VN-ChannelMOSFET

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仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

300VN-ChannelMOSFET

Features •3.2A,300V,RDS(on)=2.2Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical5.5nC) •LowCrss(typical6.0pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

300VN-ChannelMOSFET

300VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
更新时间:2025-8-1 12:11:01
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FAIRCHILD
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