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Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AON3814 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load swi

AOSMD

万国半导体

20V N-Channel MOSFET

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万国半导体

NetShelter AV 24U 600mm Wide x 825mm Deep Enclosure with Sides and 10-32 Threaded Rails Black

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施耐德

MonolithicICs

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High- performance 5.1ch electronic volume

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更新时间:2025-10-20 22:59:01
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