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Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AON3814 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load swi

AOSMD

万国半导体

20V N-Channel MOSFET

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AOSMD

万国半导体

NetShelter AV 24U 600mm Wide x 825mm Deep Enclosure with Sides and 10-32 Threaded Rails Black

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SCHNEIDER

施耐德

MonolithicICs

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ROHM

罗姆

High- performance 5.1ch electronic volume

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ROHM

罗姆

更新时间:2025-12-18 18:04:01
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    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

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