| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.66Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
TMOSPOWERFET6.0AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.66OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  | | |
P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件：729.56 Kbytes Page：5 Pages | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. |  | | |
P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件：986.23 Kbytes Page：5 Pages | HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司 |  | | |
P?묬hannelDPAKPowerMOSFET 文件：212.11 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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ON |
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TO-252 |
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