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位置：首页 > IC中文资料第1509页 > MTD6P10

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MTD6P10

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.66Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MTD6P10E

TMOSPOWERFET6.0AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.66OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MTD6P10ET4

P-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSwitch •DC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
MTD6P10E

P?묬hannelDPAKPowerMOSFET

文件：212.11 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MTD6P10EG

P?묬hannelDPAKPowerMOSFET

文件：212.11 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MTD6P10ET4

P?묬hannelDPAKPowerMOSFET

文件：212.11 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MTD6P10ET4G

P?묬hannelDPAKPowerMOSFET

文件：212.11 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
HLDD6P10

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：729.56 Kbytes Page：5 Pages

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
HLDD6P10

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：986.23 Kbytes Page：5 Pages

HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

汇利达广东汇利达半导体有限公司

HUILIDA

MTD6P10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTD6P10

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 100V 6A DPAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

MTD6P10供应商更多...

更新时间：2025-5-18 11:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市昌和盛利电子有限公司
MTD6P10E
ON
23+
TO-252
6893
询价
深圳市润联芯城科技有限公司
MTD6P10ET4G
ONSEMI/安森美
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TO-252
12500
原装正品支持实单
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深圳市宏世佳电子科技有限公司
MTD6P10E
ON
2025+
TO-252-2
5425
全新原厂原装产品、公司现货销售
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深圳市纳艾斯科技有限公司
MTD6P10ET4
O
24+
DPAK
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MTD6P10
ON/安森美
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TO-252
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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现代芯城（深圳）科技有限公司
MTD6P10ET4-VB
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N/A
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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深圳市坤融电子科技有限公司
MTD6P10ET4
ON/安森美
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艾睿国际（香港）有限公司
MTD6P10ET4
VBsemi(台湾微碧)
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TO252
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深圳市威尔健半导体有限公司
MTD6P10ET4低压MOS管
VBSEMI/台湾微碧
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DPAK
50000
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深圳市中福国际管理有限公司
MTD6P10ET4
VBsemi/台湾微碧
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DPAK
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进口原装现货,假一赔十
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