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位置：首页 > IC中文资料第1509页 > MTD6P10E

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MTD6P10E

TMOSPOWERFET6.0AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.66OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MTD6P10E

P?묬hannelDPAKPowerMOSFET

文件：212.11 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MTD6P10

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.66Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MTD6P10ET4

P-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSwitch •DC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
MTD6P10EG

P?묬hannelDPAKPowerMOSFET

文件：212.11 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MTD6P10ET4

P?묬hannelDPAKPowerMOSFET

文件：212.11 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MTD6P10ET4G

P?묬hannelDPAKPowerMOSFET

文件：212.11 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
HLDD6P10

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：729.56 Kbytes Page：5 Pages

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI
HLDD6P10

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：986.23 Kbytes Page：5 Pages

HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

汇利达广东汇利达半导体有限公司

HUILIDA

MTD6P10E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTD6P10E

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 100V 6A DPAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

MTD6P10E供应商更多...

更新时间：2025-7-5 16:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市一线半导体有限公司
MTD6P10E
ON
24+
N/A
2778
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深圳市科恒伟业电子有限公司
MTD6P10EMOS(场效应管)
ON/安森美
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深圳市宏世佳电子科技有限公司
MTD6P10E
ON
2025+
TO-252-2
5425
全新原厂原装产品、公司现货销售
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
MTD6P10E
ON/安森美
24+
NA/
7690
原装现货,当天可交货,原型号开票
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司
MTD6P10ET4
ON
23+
TO252
5000
原装正品,假一罚十
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深圳市昌和盛利电子有限公司
MTD6P10E
ON
23+
TO-252
6893
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深圳市纳艾斯科技有限公司
MTD6P10ET4
O
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DPAK
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只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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深圳市汇莱威科技有限公司
MTD6P10E
ON/安森美
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深圳市胜彬电子有限公司
MTD6P10EG
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深圳市安富世纪电子有限公司
MTD6P10E
ON/安森美
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32500
现货很近!原厂很远!只做原装
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