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iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.66Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

TMOSPOWERFET6.0AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.66OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecovery

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

汇利达广东汇利达半导体有限公司

HUILIDA

P?묬hannelDPAKPowerMOSFET

文件:212.11 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-5-17 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
3152
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
O
24+
DPAK
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只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
ON/安森美
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VBsemi
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ONSEMI/安森美
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一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
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