丝印代码：87312E；Dual 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES • Common Source Connection • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package • Optimized for 5V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor/USB

采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、38mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD87312Q3E 是一款设计用于适配器 / USB 输入保护的 30V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻，这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。 R=63°C/W，这是在厚度为 0.060\" 的环氧板印刷电路板 (FR4PCB) 上 1 in²（2 盎司）铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2% 。 • 共源连接\n• 超低漏极到漏极导通电阻\n• 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装\n• 针对 5V 栅极驱动进行了优化\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅端子镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素;

Dual 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs

文件：794.4 Kbytes Page：13 Pages

Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs

文件：789.41 Kbytes Page：12 Pages

丝印代码：87312E；Dual 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES • Common Source Connection • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package • Optimized for 5V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor/USB

Dual 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs

文件：794.4 Kbytes Page：13 Pages

Dual 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs

文件：794.4 Kbytes Page：13 Pages