CSD87312Q3E价格

参考价格:¥2.8110

型号:CSD87312Q3E 品牌:TI 备注:这里有CSD87312Q3E多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,CSD87312Q3E批发/采购报价,CSD87312Q3E行情走势销售排行榜,CSD87312Q3E报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CSD87312Q3E

Dual 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES • Common Source Connection • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package • Optimized for 5V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor/USB

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CSD87312Q3E

采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、38mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD87312Q3E

Dual 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD87312Q3E

Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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Dual 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES • Common Source Connection • Ultra Low Drain to Drain On-Resistance • Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic Package • Optimized for 5V Gate Drive • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Adaptor/USB

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Dual 30V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD87312Q3E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CSD87312Q3E

  • 功能描述

    MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 14:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
24+
VSON-8
6800
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13个点增票
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