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CSD87312Q3E.B中文资料

厂家型号

CSD87312Q3E.B

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536.83Kbytes

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15

功能描述

Dual 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

数据手册

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生产厂商

TI2

CSD87312Q3E.B数据手册规格书PDF详情

1FEATURES

• Common Source Connection

• Ultra Low Drain to Drain On-Resistance

• Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic

Package

• Optimized for 5V Gate Drive

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

APPLICATIONS

• Adaptor/USB Input Protection for Notebook

PCs and Tablets

DESCRIPTION

The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual

N-channel device designed for adaptor/USB input

protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low

drain to drain on-resistance that minimizes losses and

offers low component count for space constrained

multi-cell battery charging applications.

更新时间:2025-11-26 11:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
TI/德州仪器
2023+
QFN
11000
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站
TI/德州仪器
24+
QFN
36000
只做全新原装进口现货
TI/德州仪器
24+
QFN
60000
全新原装现货
TI
25+23+
WSON-8
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TI
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1983
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