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CSD86311W1723价格
参考价格：￥3.4156
型号：CSD86311W1723 品牌：TI 备注：这里有CSD86311W1723多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，CSD86311W1723批发/采购报价，CSD86311W1723行情走势销售排行榜，CSD86311W1723报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CSD86311W1723 | Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES • Dual N-Ch MOSFETs • Common Source Configuration • Small Footprint 1.7 mm × 2.3 mm • Ultra Low Qg and Qgd • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Battery Management • Battery Protection • DC-DC Converters DESCRIPTION The device has been designed to deli | TI 德州仪器 |   | |
CSD86311W1723 | Dual N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：415.24 Kbytes Page：10 Pages | TI 德州仪器 | | |
CSD86311W1723 | 采用 1.7mm x 2.3mm WLP 封装的双路共源极、42mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | TI 德州仪器 | | |
Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES • Dual N-Ch MOSFETs • Common Source Configuration • Small Footprint 1.7 mm × 2.3 mm • Ultra Low Qg and Qgd • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free APPLICATIONS • Battery Management • Battery Protection • DC-DC Converters DESCRIPTION The device has been designed to deli | TI 德州仪器 | |
CSD86311W1723产品属性
- 类型
描述
- 型号
CSD86311W1723
- 功能描述
MOSFET Dual P-Channel Nex FET Pwr MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
3265 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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TI |
2016+ |
BGA |
24028 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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TI |
13+ |
BGA12 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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TI |
25+ |
BGA |
24028 |
原装正品,假一罚十! |
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TI/德州仪器 |
25+ |
BGA |
32360 |
TI/德州仪器全新特价CSD86311W1723即刻询购立享优惠#长期有货 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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TI/德州仪器 |
2517+ |
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TI/德州仪器 |
2223+ |
BGA12 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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TI/德州仪器 |
BGA |
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TI |
23+ |
NA |
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专做原装正品,假一罚百! |
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2021-7-14
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