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CSD86311W1723价格
参考价格：￥3.4156
型号：CSD86311W1723 品牌：TI 备注：这里有CSD86311W1723多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，CSD86311W1723批发/采购报价，CSD86311W1723行情走势销售排行榜，CSD86311W1723报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CSD86311W1723 | DualN-ChannelNexFET™PowerMOSFET 1FEATURES •DualN-ChMOSFETs •CommonSourceConfiguration •SmallFootprint1.7mm×2.3mm •UltraLowQgandQgd •PbFree •RoHSCompliant •HalogenFree APPLICATIONS •BatteryManagement •BatteryProtection •DC-DCConverters DESCRIPTION Thedevicehasbeendesignedtodeli | TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  |   |
CSD86311W1723 | DualN-ChannelNexFET??PowerMOSFET 文件：415.24 Kbytes Page：10 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | |
DualN-ChannelNexFET™PowerMOSFET 1FEATURES •DualN-ChMOSFETs •CommonSourceConfiguration •SmallFootprint1.7mm×2.3mm •UltraLowQgandQgd •PbFree •RoHSCompliant •HalogenFree APPLICATIONS •BatteryManagement •BatteryProtection •DC-DCConverters DESCRIPTION Thedevicehasbeendesignedtodeli | TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | |
CSD86311W1723产品属性
- 类型
描述
- 型号
CSD86311W1723
- 功能描述
MOSFET Dual P-Channel Nex FET Pwr MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
2016+ |
BGA |
24028 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
TI |
1725+ |
NA |
3256 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
|||
TI |
2025+ |
DSBGA-12 |
16000 |
原装优势绝对有货 |
|||
TI |
17+ |
NA |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
TI/德州仪器 |
24+ |
DSBGA-12 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
TI/德州仪器 |
23+ |
BGA |
5000 |
全新原装,支持实单,非诚勿扰 |
|||
TI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
||||
TI |
16+ |
DSBGA |
10000 |
原装正品 |
|||
TI/德州仪器 |
22+ |
SMD |
25 |
原装现货 |
|||
TI/德州仪器 |
25+ |
BGA |
32360 |
TI/德州仪器全新特价CSD86311W1723即刻询购立享优惠#长期有货 |
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2021-7-14
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