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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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丝印代码：83325L；CSD83325L 12-V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Common drain configuration • Low-on resistance • Small footprint of 2.2 mm × 1.15 mm • Lead free • RoHS compliant • Halogen free • Gate ESD protection 2 Applications • Battery management • Battery protection 3 Description This 12-V, 9.9-mΩ, 2.2-mm × 1.15-mm LGA Dual N | TI 德州仪器 |   | ||
12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.18336 Mbytes Page：14 Pages | TI 德州仪器 | | ||
12 V Dual N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：639.66 Kbytes Page：11 Pages | TI 德州仪器 | | ||
12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.18336 Mbytes Page：14 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Conductor Punch 文件：23.25 Kbytes Page：1 Pages | MOLEX 莫仕 | |
更新时间：2026-3-16 23:00:01
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