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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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CSD25481F4T.B | CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • High operating drain current • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • R | TI 德州仪器 |   | |
CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • High operating drain current • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • R | TI 德州仪器 | | ||
20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：801.8 Kbytes Page：13 Pages | TI 德州仪器 | | ||
20V, P-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：1.30257 Mbytes Page：12 Pages | TI 德州仪器 | | ||
CSD25481F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：1.3306 Mbytes Page：14 Pages | TI 德州仪器 | | ||
CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • High operating drain current • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • R | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
23+ |
DFN1006 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
|||
TI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
||||
TI |
20+ |
分立半导体 |
11519 |
找原厂原装进口货选星佑电子就对了 |
|||
TI(德州仪器) |
24+/25+ |
10000 |
原装正品现货库存价优 |
||||
原装 |
20+ |
原装 |
56200 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
TI |
16+ |
PICOSTAR |
10000 |
原装正品 |
|||
TI/德州仪器 |
24+ |
DFN1006 |
60000 |
||||
TI/德州仪器 |
21+ |
QFN |
3000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
|||
TI/德州仪器 |
24+ |
PICOSTAR-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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2020-12-22
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