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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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CSD25481F4R | CSD25481F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：1.3306 Mbytes Page：14 Pages | TI 德州仪器 |   | |
CSD25481F4R | 20V, P-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：1.30257 Mbytes Page：12 Pages | TI 德州仪器 | | |
CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • High operating drain current • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • R | TI 德州仪器 | | ||
20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：801.8 Kbytes Page：13 Pages | TI 德州仪器 | | ||
20V, P-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：1.30257 Mbytes Page：12 Pages | TI 德州仪器 | | ||
CSD25481F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET 文件：1.3306 Mbytes Page：14 Pages | TI 德州仪器 | | ||
CSD25481F4 20 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Ultra-low on resistance • Ultra-low Qg and Qgd • High operating drain current • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.36 mm max height • Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM • Lead and halogen free • R | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
2511 |
Unknown |
3200 |
电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Texas Instruments(德州仪器) |
24+ |
- |
690000 |
代理渠道/支持实单/只做原装 |
|||
TI/德州仪器 |
PicosTAR-3 |
6000 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
||||
TI(德州仪器) |
24+ |
N/A |
20000 |
原装进口正品 |
|||
TI(德州仪器) |
24+ |
N/A |
20000 |
现货 |
|||
TI/德州仪器 |
24+ |
3PICOSTAR |
60000 |
||||
TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
||||
TI(德州仪器) |
25+ |
N/A |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
TI/德州仪器 |
24+ |
PicosTAR-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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2020-12-22
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