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CSD22206W.B | CSD22206W –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Lead Free • Gate ESD Protection • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Load Switch Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This –8-V, 4.7-mΩ, 1 | TI 德州仪器 |   | |
CSD22206W –8-V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm • Lead Free • Gate ESD Protection • RoHS Compliant • Halogen Free • Gate-Source Voltage Clamp 2 Applications • Load Switch Applications • Battery Management • Battery Protection 3 Description This –8-V, 4.7-mΩ, 1 | TI 德州仪器 | | ||
8-V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：411 Kbytes Page：12 Pages | TI 德州仪器 | | ||
8-V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：411 Kbytes Page：12 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Slim and compact size 文件：136.5 Kbytes Page：6 Pages | IRF | |
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2020-12-23CSD19531Q5A原厂原装现货
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2020-12-22
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