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CSD19536KTT价格
参考价格：￥19.2827
型号：CSD19536KTT 品牌：Texas Instruments 备注：这里有CSD19536KTT多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，CSD19536KTT批发/采购报价，CSD19536KTT行情走势销售排行榜，CSD19536KTT报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CSD19536KTT | 丝印代码：CSD19536KTT；CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Hot swap • Motor control 3 Description This 100V, 2mΩ, D2PAK (T | TI 德州仪器 |   | |
丝印代码：CSD19536KTT；CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Hot swap • Motor control 3 Description This 100V, 2mΩ, D2PAK (T | TI 德州仪器 | | ||
丝印代码：CSD19536KTT；CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Hot swap • Motor control 3 Description This 100V, 2mΩ, D2PAK (T | TI 德州仪器 | | ||
丝印代码：CSD19536KTT；CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Hot swap • Motor control 3 Description This 100V, 2mΩ, D2PAK (T | TI 德州仪器 | | ||
CSD19536KTT | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.4mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC | ISC 无锡固电 | | |
CSD19536KTT | CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：852.94 Kbytes Page：14 Pages | TI 德州仪器 | | |
CSD19536KTT | 采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | TI 德州仪器 | | |
CSD19536KTT | 100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：882.06 Kbytes Page：14 Pages | TI 德州仪器 | | |
CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：852.94 Kbytes Page：14 Pages | TI 德州仪器 | | ||
100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：882.06 Kbytes Page：14 Pages | TI 德州仪器 | | ||
CSD19536KCS, 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：467 Kbytes Page：10 Pages | TI 德州仪器 | | ||
SURFACE MOUNT DRUM CORE INDUCTOR 文件：16.12 Kbytes Page：1 Pages | RHOMBUS-IND | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
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TO263 |
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