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CSD19536KTT数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage
: VDSS= 100V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 2.4mΩ(Max) @ VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI |
2021+,2022+ |
TO-263 |
20000 |
原装正品,欢迎询价 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
TO263 |
32360 |
TI/德州仪器全新特价CSD19536KTT即刻询购立享优惠#长期有货 |
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TI |
23+ |
TO-263-3 |
30000 |
全新原装正品 |
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TI(德州仪器) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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TI(德州仪器) |
25+ |
5000 |
只做原装 假一罚百 可开票 可售样 |
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TI |
24+ |
TO263 |
5415 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
TO263 |
100 |
正规渠道,只有原装! |
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TI |
25+ |
TO263 |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
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TI(德州仪器) |
24+ |
TO263 |
9098 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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TI |
24+ |
DDPAK/TO-263|3 |
8230 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
CSD19536KTTT 价格
参考价格:¥21.9023
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- LRA32H2BBEEN
- LRA32H2BBEFN
- LRA32H2BBELN
- LRA32H2BBENN
- LRA32H2BBGEN
- LRA32H2BBGFN
- LRA32H2BBGLN
- LRA32H2BBGNN
- LRA32H2BBREN
- LRA32H2BBRFN
- LTST-C171TGKT
- NGTB25N120IHBT4G
- NGTB25N120IHDT4G
- NGTB25N120IHET4G
- NGTB25N120IHFT4G
- NGTB25N120IHST4G
- NGTB25N120IHTT4G
- NGTB25N120IHWT4G
- NGTB40N65IHRTG
- SMD0603P030TF
- SMD0603P035L
- TSM7N65CIC0
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P100
- P101
- P102
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售