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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=150A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.4mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

CSD19535KCS,100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

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TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

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TI1
更新时间:2025-8-3 9:38:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI(德州仪器)
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
Texas Instruments(德州仪器)
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690000
代理渠道/支持实单/只做原装
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