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CSD19506KTT

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
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80VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

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TI1Texas Instruments

德州仪器

TI1

80VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

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TI1Texas Instruments

德州仪器

TI1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

80VN-ChannelNexFETPowerMOSFETs

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TI1Texas Instruments

德州仪器

TI1

PortableCordage,2C#18StrBC,PVCIns,PVCJkt,ULTypeSJTOW

ProductDescription PortableCordage,2Conductor18AWG(42x34)BareCopper,PVCInsulation,PVCOuterJacket,ULTypeSJTOW

BELDENBelden Inc.

百通电缆设计科技有限公司

BELDEN
更新时间:2025-5-20 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
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TO263
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只做原厂渠道 可追溯货源
TEXASINSTRUMENTS
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原厂渠道,现货配单
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smd
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

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