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CSD19506KTT

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
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80VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

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TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

TI1

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FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

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德州仪器德州仪器 (TI)

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更新时间:2024-6-23 23:00:00
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原装正品
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