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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CSD13302W

丝印代码：302；CSD13302W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra Low On Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is

TI

德州仪器

CSD13302W

采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 14.6mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 • 超低导通电阻\n• 低 Qg 和 Qgd\n• 1mm x 1mm 小尺寸封装\n• 低高度（高度为 0.62mm）\n• 无铅\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素;

TI

德州仪器

CSD13302W

CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET

文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

CSD13302W.B

丝印代码：302；CSD13302W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra Low On Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is

TI

德州仪器

CSD13302WT

丝印代码：302；CSD13302W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra Low On Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is

TI

德州仪器

CSD13302WT.B

丝印代码：302；CSD13302W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra Low On Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is

TI

德州仪器

CSD13302W_15

CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET

文件：1.07609 Mbytes Page：15 Pages

TI

德州仪器

CSD13302W_16

CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET

文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

CSD13302WT

CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET

文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages

TI

德州仪器

L-13302

High L Mini Inductors

文件：36.39 Kbytes Page：1 Pages

RHOMBUS-IND

LBS13302

132.5MHz SAW Filter 4.5MHz Bandwidth

文件：355.37 Kbytes Page：3 Pages

SIPAT

胜普电子

M13302

22 (7/30) AWG Tinned Copper

文件：408.34 Kbytes Page：4 Pages

ALPHAWIRE

CSD13302W产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：

    17.1

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    29

  • QG typ (nC)：

    6

  • QGD typ (nC)：

    2.1

  • Package (mm)：

    WLP 1.0x1.0

  • VGS (V)：

    10

  • VGSTH typ (V)：

    1

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    1.6

  • ID - package limited (A)：

    1.6

  • Logic level：

    Yes

CSD13302W供应商更多...

更新时间：2026-5-14 18:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市乾能惠电子有限公司
CSD13302W
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