| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CSD13302WT.B | 丝印代码：302；CSD13302W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low On Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is | TI 德州仪器 |   | |
CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages | TI 德州仪器 | | ||
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High L Mini Inductors 文件：36.39 Kbytes Page：1 Pages | RHOMBUS-IND | | ||
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22 (7/30) AWG Tinned Copper 文件：408.34 Kbytes Page：4 Pages | ALPHAWIRE | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI |
21+ |
DSBGA6 |
138000 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
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TI |
22+ |
6UFBGA DSBGA |
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DSBGA6 |
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TI/德州仪器 |
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DSBGA6 |
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TI/德州仪器 |
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TI |
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TI/德州仪器 |
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原装现货,优势供应,支持实单! |
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TI/德州仪器 |
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TI |
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DSBGA6 |
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