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CSD13302W.B | CSD13302W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low On Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is | TI 德州仪器 |   | |
CSD13302W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low On Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is | TI 德州仪器 | | ||
CSD13302W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low On Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 mm × 1 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is | TI 德州仪器 | | ||
CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages | TI 德州仪器 | | ||
CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
TI |
25+23+ |
24635 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
DSBGA6 |
12500 |
全新原装现货,假一赔十 |
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TI |
25+ |
DSBGA (YZB) |
6000 |
原厂原装,价格优势 |
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TI/德州仪器 |
22+ |
DSBGA6 |
138000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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TI |
22+ |
4UFBGA DSBGA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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TI |
25+ |
DSBGA4 |
20948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
TI |
25+ |
DSBGA4 |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
TEXAS INSTRUMENTS |
23+ |
DSBGA6 |
9600 |
全新原装正品!一手货源价格优势! |
|||
TI/德州仪器 |
18+ |
DSBGA6 |
5000 |
TI原厂原装全系列订货假一赔十 |
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