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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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CSD13302W.B | CSD13302W12VNChannelNexFET™PowerMOSFET 1Features 1•UltraLowOnResistance •LowQgandQgd •SmallFootprint1mm×1mm •LowProfile0.62mmHeight •PbFree •RoHSCompliant •HalogenFree 2Applications •BatteryManagement •LoadSwitch •BatteryProtection 3Description This14.6mΩ,12V,N-Channeldeviceis | TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  |   |
CSD13302W12VNChannelNexFET™PowerMOSFET 1Features 1•UltraLowOnResistance •LowQgandQgd •SmallFootprint1mm×1mm •LowProfile0.62mmHeight •PbFree •RoHSCompliant •HalogenFree 2Applications •BatteryManagement •LoadSwitch •BatteryProtection 3Description This14.6mΩ,12V,N-Channeldeviceis | TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | | |
CSD13302W12VNChannelNexFET™PowerMOSFET 1Features 1•UltraLowOnResistance •LowQgandQgd •SmallFootprint1mm×1mm •LowProfile0.62mmHeight •PbFree •RoHSCompliant •HalogenFree 2Applications •BatteryManagement •LoadSwitch •BatteryProtection 3Description This14.6mΩ,12V,N-Channeldeviceis | TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | | |
CSD13302W12VNChannelNexFET??PowerMOSFET 文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | | |
CSD13302W12VNChannelNexFET??PowerMOSFET 文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI/德州仪器 |
1922+ |
DSBGA6 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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TI/德州仪器 |
20+ |
NA |
53650 |
TI原装主营-可开原型号增税票 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
TI(德州仪器) |
24+ |
DSBGA4(1x1) |
7350 |
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|||
TI |
25+ |
DSBGA (YZB) |
6000 |
原厂原装,价格优势 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
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TI |
25+23+ |
24635 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
DSBGA6 |
12500 |
全新原装现货,假一赔十 |
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CONSONANCE/如韵电子 |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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TI/德州仪器 |
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DSBGA6 |
138000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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