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CS50N06D

60V N-Channel Planar MOSFET

CONVERT

锴威特

TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 50 AMPERES 60 VOLTS

TMOS E-FET Power Field Effect Transistors D2PAK for Surface Mount Logic Level TMOS (L2TMOS) N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate These TMOS Power FETs are designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. This

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TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS

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TMOS POWER FET 50 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.028 OHM

TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed fo

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TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.032 OHM

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CS50N06D产品属性

  • 类型

    描述

  • Package:

    TO252-2

  • Polarity:

    N

  • Technology:

    MVMOS

  • ESDDiode:

    N

  • FRDDiode:

    N

  • VDS(V):

    60

  • ID (A):

    50

  • Vth(V)Typ:

    3

  • RDS(ON) (mΩ)10Vtyp:

    14

  • Qg* (nC):

    57

更新时间:2026-5-24 22:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
26+
DIP
20000
公司只有正品,实单来谈
24+
DIP8
217
IR
26+
DIP
99680
只做原装,欢迎来电资询
INFINEON/英飞凌
25+
DIP4
45
全新原装正品支持含税
IR
23+
DIP4
7000
Convert Semiconductor(锴威特半
2447
TO-252
315000
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
PULS
24+
NA
1548
进口原装正品优势供应
CS
20+
SOP-8
2960
诚信交易大量库存现货
IOR
24+
DIP4
3500
原装现货,可开13%税票
IR
22+
DIP4
6000
终端可免费供样,支持BOM配单

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