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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
IXTU01N80	HighVoltageMOSFET HighVoltageMOSFET N-Channel,EnhancementMode Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-251AA,TO-252AA •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Fastswitchingtimes Applications •Levelshifting •Triggers •Solidstaterelays •Currentre	IXYS IXYS Corporation
IXTY01N80	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
CJD01N80	Plastic-EncapsulateMOSFETS 文件：710.08 Kbytes Page：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品
CJU01N80	N-ChannelPowerMOSFET 文件：796.82 Kbytes Page：5 Pages	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司
CJU01N80	Plastic-EncapsulateMOSFETS 文件：546.31 Kbytes Page：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品

CS01N80供应商更多...

更新时间：2025-7-28 17:55:01

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2021-10-17
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2020-4-27
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CS2001YDWF20-模拟集成电路
描述CS2001是一种智能的电源专用集成电路在汽车使用安全气囊系统。它包含一个电流模式开关稳压器和一个1.2甲片上开关和一个5.0伏，100毫安线性稳压器。线性输出电容的ESR必须在范围更大的MF或3.3100毫瓦如果上限至1.0瓦特的ESR小于100毫瓦，一个系列电阻必须使用。切换台可以配置在任何一个推动或反激式拓扑。升压拓扑结构会产生能量储备VER的是外部电压可调（最高25伏特），通过电阻分压器连接到VFB引脚。在故障事件振动流化床生产条件或者开路或短路时，转换器是关闭。在正常工作条件下（VBAT的>8.0V）时，电流线性稳压器上装载直接通过VBAT的
2013-2-21