Small Signal Transistor NPN - RF Transistor Chip

PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 21.7 x 21.7 MILS Die Thickness 9.0 MILS Base Bonding Pad Area 3.4 MILS DIAMETER Emitter Bonding Pad Area 3.4 x 3.4 MILS Top Side Metalization Al - 10,000Å Back Side Metalization Au - 12,000Å

Electronics record tracking systems

文件：448.82 Kbytes Page：3 Pages

NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 30 Volt

文件：665.86 Kbytes Page：9 Pages

Chip Form: RF Transistor

NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 30 Volt

文件：631.67 Kbytes Page：9 Pages

NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 20 Volt

文件：585.47 Kbytes Page：8 Pages

NPN - RF Transistor Die 0.4 Amp, 30 Volt

文件：665.86 Kbytes Page：9 Pages

PNP - RF Transistor Die 0.4 Amp, 40 Volt

文件：624.25 Kbytes Page：8 Pages

RCA SNAP IN MODULE, GOLD-PLATED-Black Bezel

文件：680.69 Kbytes Page：1 Pages

RCA SNAP IN MODULE, GOLD-PLATED-Blue Bezel

文件：685.47 Kbytes Page：1 Pages

Carbon Composition Molded OD/OF Series (5 Tol.) OA Series (10)

文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages

SCHOTTKY RECTIFIER

文件：104.04 Kbytes Page：5 Pages

Low forward voltage drop

文件：225.85 Kbytes Page：4 Pages