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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

N-ChannelMOSFET

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KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

ProductScoutAutomotive

文件:5.67799 Mbytes Page:6 Pages

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-5-19 14:02:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NEC
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24+
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TO-263
60000
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NEC
21+
SOT-263
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    製造商:Vishay 產品類型:金屬膜電阻器-透孔 RoHS:詳細資料 系列:CMFIndustrial 電阻:10Ohms 額定功率:1W 耐受性:1%_ 溫度系數:50PPM/C 最低工作溫度:-55C 最高工作溫度:+175C 額定電壓:500V 直徑:3.68mm 長度:8.74mm 終端類型:Axial 封裝:Bulk 產品:MetalF

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    CM8062300834302CPU-中央处理器

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    深圳科雨电子有限公司,联系人:卢小姐手机:18975515225 原装正品大量现货,有需要的可以联系我QQ:97877805微信:wei555222777

    2019-8-28