型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NP110N03PUG

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
NP110N03PUG

ProductScoutAutomotive

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET

文件:318.18 Kbytes Page:9 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件:553.41 Kbytes Page:7 Pages

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

N-ChannelMOSFET

文件:1.93729 Mbytes Page:4 Pages

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

NP110N03PUG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP110N03PUG

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-5-19 13:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
6000
面议
19
TO-263
NEC
24+
TO-263
8866
NEC
24+
TO-263
60000
全新原装现货
NEC
21+
SOT-263
10000
原装现货假一罚十
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
20000
保证原装正品,假一陪十
NEC
23+
TO-263
9800
全新原装现货,假一赔十
RENESAS/瑞萨
23+
MP-25ZPTO-263
32687
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-252
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
NEC
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单

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