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TransistorSiliconPNP/NPNEpitaxialType(PCTProcess)

MOSGateDriveApplications SwitchingApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •HighDCcurrentgain:hFE=200to500(IC=−0.12A) •Lowcollector-emittersaturation:PNPVCE(sat)=−0.20V(max) :NPNVCE(sat)=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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东芝株式会社东芝

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更新时间:2025-6-23 22:59:01
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