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HN4B101J中文资料

厂家型号

HN4B101J

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1582.74Kbytes

页面数量

73

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type(PCT Process)

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

HN4B101J数据手册规格书PDF详情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

HN4B101J产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HN4B101J

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    Transistor Silicon PNP/NPN Epitaxial Type(PCT Process)

更新时间:2025-10-30 8:51:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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