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P-CHANNEL POWER MOSFETS

FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability

SAMSUNG

三星

P-CHANNEL POWER MOSFETS

FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability

SAMSUNG

三星

TC9130P 4CH INDEPENDENT CYCLIC TYPE TOUCH SWITCH

TOSHIBA

东芝

P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS

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SEME-LAB

P-CHANNEL POWER MOSFET

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SEME-LAB

更新时间:2026-3-17 16:38:01
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