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AON3814	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON3814 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load swi	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON3814	20V N-Channel MOSFET 文件：375.26 Kbytes Page：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AR3814	NetShelter AV 24U 600mm Wide x 825mm Deep Enclosure with Sides and 10-32 Threaded Rails Black 文件：89.51 Kbytes Page：2 Pages	SCHNEIDER 施耐德	SCHNEIDER
BA3814L	MonolithicICs 文件：242.43 Kbytes Page：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD3814FV	High- performance 5.1ch electronic volume 文件：39.84 Kbytes Page：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

CGB3814供应商更多...

更新时间：2025-12-24 23:01:01

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深圳市金芯世纪电子有限公司	AON3814	AOS/万代	22+	DFN8	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
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CGH09120F/P 是 Wolfspeed 推出的基于 GaN-on-SiC（氮化镓基于碳化硅）射频功率晶体管，专为 700 MHz 到 960 MHz 频段的高效射频和微波功率放大器设计。
CGH09120F/P 品牌镁可
2025-3-26
CGA5L1X7R1E106KT0Y0E
CGA5L1X7R1E106KT0Y0E是一款高性能的多层陶瓷电容器，具有高电容密度、高电压容限、高温稳定性、低ESR和低ESL等特点。它适用于各种电路和应用，包括紧凑型电路设计、高电压应用、高温环境下的应用和高频应用等。同时，它还具有高可靠性和长寿命，能够稳定工作并满足各种工业标
2023-6-21
CGH40006P
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz， 6 Watt
2019-12-7
CGH21240F
Cree， Inc. 240W， GaN HEMT， 28V， 1.8-2.1GHz， Flange
2019-12-7
CGA4J3X7R1C225KT0Y0N深圳市光华微科技有限公司 18138231376
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2019-7-23
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2019-7-6