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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BIDW50N65T

BIDW50N65TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW50N65TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
IGB50N65

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.7V@IC=50A ·HighSpeedSmoothSwitchingDeviceForHard &SoftSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MIW50N65F

TrenchandFieldStopIGBT650V50A

Features •HighSpeedSmoothSwitchingDeviceforHardandSoftSwitching •Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient •HighRuggedness,GoodThermalStability •VeryTightParameterDistribution •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •Lead

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
MIW50N65F-BP

TrenchandFieldStopIGBT650V50A

Features •HighSpeedSmoothSwitchingDeviceforHardandSoftSwitching •Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient •HighRuggedness,GoodThermalStability •VeryTightParameterDistribution •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •Lead

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
HMG50N65T

650V/50ATrenchFieldStopIGBT

文件：1.24913 Mbytes Page：8 Pages

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

CEP50N65供应商更多...

更新时间：2024-6-23 17:58:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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