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CEP13N10L	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,12.8A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP13N10L	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,12.8A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB13N10	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,12.8A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB13N10	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,12.8A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEB13N10L	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,12.8A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
13N10	N-Channel100-V(D-S)MOSFET 文件：773.51 Kbytes Page：6 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
CEB13N10	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor 文件：354.05 Kbytes Page：4 Pages	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CEP13N10L产品属性

类型
描述
型号
CEP13N10L
制造商
CET
制造商全称
Chino-Excel Technology
功能描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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更新时间：2024-6-13 22:30:00

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