型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
CED12N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
CED12N10

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
CED12N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS
CED12N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

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DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

文件:416.48 Kbytes Page:4 Pages

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

N-Channel100V(D-S)MOSFET

APPLICATIONS •PrimarySideSwitch

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

EVVOSEMI

N-Channel100V(D-S)MOSFET

文件:443.06 Kbytes Page:5 Pages

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

N-Channel100V(D-S)MOSFET

文件:1.68514 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

12A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:194.56 Kbytes Page:5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-Channel100V(D-S)MOSFET

文件:1.00844 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

CED12N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CED12N10

  • 制造商

    CET

  • 制造商全称

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

更新时间:2025-7-25 20:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
21+
TO251
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VB
25+
TO-251
26325
原装正品,假一罚十!
CET/華瑞
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TO-252
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CET/華瑞全新特价CED12N10L即刻询购立享优惠#长期有货
VBsemi/台湾微碧
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TO-251
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CET/華瑞
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TO-252
499547
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CET/華瑞
24+
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VBsemi/台湾微碧
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司手机:17727572380。电话:0755-83226739QQ:626839837。微信号:15096137729

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