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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CED12N10 | N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package. | CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 |  |   |
CED12N10 | N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
CED12N10 | N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 |  | |
CED12N10 | N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：1.30558 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |  | |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package. | CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | | | |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=185mW@VGS=5V. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司 | | | |
N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor 文件：416.48 Kbytes Page：4 Pages | CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | | | |
N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：1.68514 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
12A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：194.56 Kbytes Page：5 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：443.06 Kbytes Page：5 Pages | UMWUMW 友台友台半导体 |  | | |
N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：1.00844 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
12Amps,100VoltsN-CHANNELPowerMOSFET 文件：532.37 Kbytes Page：7 Pages | CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司 |  | |
CED12N10产品属性
- 类型
描述
- 型号
CED12N10
- 制造商
CET
- 制造商全称
Chino-Excel Technology
- 功能描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
2233+ |
TO251 |
6147 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
CET |
21+ |
TO-251 |
50000 |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
|||
CET |
23+ |
TO-251 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
CET |
2020+ |
TO-251 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
TO-251 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
VBSEMI-微碧 |
24+25+/26+27+ |
车规-场效应管 |
143788 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO251 |
18000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
CET |
2105+ |
TO-251 |
12000 |
原装正品 |
|||
CET/華瑞 |
24+ |
TO-251 |
156772 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
CET |
2020+ |
TO-251 |
50210 |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
CED12N10芯片相关品牌
CED12N10规格书下载地址
CED12N10参数引脚图相关
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- d2007
- d2004
- d2002
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- c波段
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- cicret
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CDT3345
CDT3345
2023-5-10CE6232
CE6232，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-8-17CEM-1212C
CEM-1212C
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CEM-1205C KBS-13DB-4P-2 PKM17EPPH4001-BO 7BB-27-4C PKM17EWH4000 7BB-20-3CL0 7BB-27-3R5 7BB-35-3CL0 7BB-50M-1 PKM24SP-3805 1.30.078.001/0100 1.30.249.002/0000 MSS300R AST1240MLQ MSE14LSU2 PK-27A35WQ PK-27N36WQ PT-1540PQ PT-4175WQ SC250M SW360308-1 SW380408-1 SW230704-1 SW390608
2021-4-27CEM9435
CEM9435，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-2CE01系列CE01-22BS-DS原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380。电话：0755-83226739QQ:626839837。微信号：15096137729
2019-11-25
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