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厂家型号	CED12N10L
文件大小	552.85Kbytes
页面数量	4页
功能描述	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据手册	下载地址一下载地址二
生产厂商	CET-MOS

FEATURES

100V, 11A, RDS(ON) = 175mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 185mW @VGS = 5V.

CED12N10L供应商...

更新时间：2025-10-8 14:14:00

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