型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CED12N10L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 100V, 11A, RDS(ON) = 175mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 185mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package.

CET

华瑞

CED12N10L

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • DT-TrenchPower MOSFET • 175 °C Junction Temperature • 100 Rg Tested APPLICATIONS • Primary Side Switch

VBSEMI

微碧半导体

CED12N10L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 11A, RDS(ON) = 175mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 185mW @VGS = 5V.

CET-MOS

华瑞

CED12N10L

N Channel MOSFET

CET

华瑞

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

APPLICATIONS • Primary Side Switch

EVVOSEMI

翊欧

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:443.06 Kbytes Page:5 Pages

UMW

友台半导体

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

12A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:194.56 Kbytes Page:5 Pages

UTC

友顺

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:1.00844 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

CED12N10L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CED12N10L

  • 制造商

    CET

  • 制造商全称

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

更新时间:2025-11-23 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
24+
TO251
286
CET/華瑞
25+
TO-251
156629
明嘉莱只做原装正品现货
VBsemi(台湾微碧)
2447
TO-251
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VBsemi/台湾微碧
23+
TO-251
12800
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20+
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CET/華瑞
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24075
原厂代理 终端免费提供样品
NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产
恩XP
24+
SSOP20
7528
公司现货库存,支持实单
CET/華瑞
2511
TO-252
360000
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