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Power Filed Effect Transistor

FEATURES ● Robust High Voltage Termination ● Avalanche Energy Specified ● Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode ● Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ● IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

JIANGSU

长电科技

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.4Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

SIPMOS Power Transistor

Features • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated

Infineon

英飞凌

SIPMOS횘 Power Transistor Features N channel Enhancement mode Avalanche rated

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Infineon

英飞凌

SIPMOS횘 Power Transistor Features N channel Enhancement mode Avalanche rated

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-22 8:33:01
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