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PowerFiledEffectTransistor

FEATURES ●RobustHighVoltageTermination ●AvalancheEnergySpecified ●Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ●DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ●IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.4Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SIPMOSPowerTransistor

Features •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

SIPMOS횘PowerTransistorFeaturesNchannelEnhancementmodeAvalancherated

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

SIPMOS횘PowerTransistorFeaturesNchannelEnhancementmodeAvalancherated

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
更新时间:2025-5-23 20:00:01
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