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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
POWERTRANSISTORS5AMPERES700VOLTS75WATTS TheBUD45D2isstate–of–artHighSpeedHighgainBIPolartransistor(H2BIP).Highdynamiccharacteristicsandlottolotminimumspread(±150nsonstoragetime)makeitideallysuitableforlightballastapplications.Therefore,thereisnoneedtoguaranteeanhFEwindow. Mainfeatures: •Low | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 |  |   | |
POWERTRANSISTORS5AMPERES700VOLTS75WATTS HighSpeed,HighGainBipolarNPNPowerTransistorwithIntegratedCollector−EmitterDiodeandBuilt−inEfficientAntisaturationNetwork TheBUL45D2isstate–of–artHighSpeedHighgainBIPolartransistor(H2BIP).Highdynamiccharacteristicsandlottolotminimumspread(±150nsonstoragetime | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
HighSpeed,HighGainBipolarNPNPowerTransistor 文件：227.88 Kbytes Page：11 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
HighSpeed,HighGainBipolarNPNPowerTransistor HighSpeed,HighGainBipolarNPNPowerTransistor withIntegratedCollector−EmitterDiodeandBuilt−inEfficientAntisaturationNetwork TheBUL45D2Gisstate−of−artHighSpeedHighgainBiPolartransistor(H2BIP).Highdynamiccharacteristicsandlot−to−lotminimumspread(±150nsonstorageti | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
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BUL45D2/D产品属性
- 类型
描述
- 型号
BUL45D2/D
- 功能描述
High Speed， High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector-Emitter Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
102 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220 |
96988 |
||||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-220 |
942 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220AB |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
原厂 |
23+ |
NA |
5000 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
|||
ON2 |
23+ |
原厂原封 |
6200 |
订货1周 原装正品 |
|||
onsemi |
23/22+ |
NA |
9000 |
代理渠道.实单必成 |
|||
ON |
2020+ |
TO-220 |
9500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
ON二三极管全系列在售 |
|||
onsemi |
22+/23+ |
TO-220 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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2019-11-17
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