BUL45D2晶体管资料
BUL45D2别名：BUL45D2三极管、BUL45D2晶体管、BUL45D2晶体三极管
BUL45D2生产厂家：
BUL45D2制作材料：Si-N+Di
BUL45D2性质：SMPS_LO_DRIVE
BUL45D2封装形式：直插封装
BUL45D2极限工作电压：700V
BUL45D2最大电流允许值：5A
BUL45D2最大工作频率：12MHZ
BUL45D2引脚数：3
BUL45D2最大耗散功率：75W
BUL45D2放大倍数：
BUL45D2图片代号：B-10
BUL45D2vtest：700
BUL45D2htest：12000000
- BUL45D2atest：5
BUL45D2wtest：75
BUL45D2代换 BUL45D2用什么型号代替：
BUL45D2价格
参考价格：￥2.6249
型号：BUL45D2G 品牌：ON 备注：这里有BUL45D2多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BUL45D2批发/采购报价，BUL45D2行情走势销售排行榜，BUL45D2报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BUL45D2 | POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 700 VOLTS 75 WATTS High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector−Emitter Diode and Built−in Efficient Antisaturation Network The BUL45D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
BUL45D2 | POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 700 VOLTS 75 WATTS The BUD45D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. Main features: • Low | MOTOROLA 摩托罗拉 | | |
BUL45D2 | NPN Bipolar Power Transistor The BUL45D2 is state-of-art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an hFE window. • Low Base Drive Requirement\n• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA\n• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread\n• Integrated Collector-Emitter Free Wheeling Diode\n• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat)\n• \"; | ONSEMI 安森美半导体 | | |
BUL45D2 | High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor 文件：227.88 Kbytes Page：11 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
BUL45D2 | 封装/外壳：TO-220-3 包装：散装 描述：TRANS NPN 400V 5A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector−Emitter Diode and Built−in Efficient Antisaturation Network The BUL45D2G is state−of−art High Speed High gain BiPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot−to−lot minimum spread (±150 ns on storage ti | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor 文件：227.88 Kbytes Page：11 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：TRANS NPN 400V 5A TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Crystal Filter 3 Lead Metal Package 文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages | ILSI | | ||
Crystal Filter 3 Lead Metal Package 文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages | ILSI | |
BUL45D2产品属性
- 类型
描述
- Pb-free：
Pb
- Status：
Active
- Polarity：
NPN
- Type：
General Purpose
- VCE(sat) Max (V)：
0.8
- IC Cont. (A)：
5
- VCEO Min (V)：
400
- VCBO (V)：
700
- VEBO (V)：
12
- VBE(sat) (V)：
0.8
- hFE Min：
22
- PTM Max (W)：
75
- Package Type：
TO-220-3
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI |
25+ |
N/A |
18798 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
ON |
2025+ |
TO-220AB |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
ON(安森美) |
26+ |
NA |
8000 |
原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单 |
|||
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
ON(安森美) |
26+ |
NA |
60000 |
只有原装 可配单 |
|||
ON |
24+ |
TO220ATLAS |
6000 |
||||
ON |
2602+ |
N/A |
21322 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ON |
26+ |
TO220BPLRPBF |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
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BUL45D2规格书下载地址
BUL45D2参数引脚图相关
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2019-11-17
DdatasheetPDF页码索引
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