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BUK9006-55A

N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor

Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor available as a bare die using Philips General Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS™ technology. Features ■ 25 A testing of individual die ■ Life-tested to Q101 at 175 °C ■ Inductive energy testing of individual die ■ Automati

Philips

飞利浦

BUK9006-55A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUK9006-55A

  • 制造商

    PHILIPS

  • 制造商全称

    NXP Semiconductors

  • 功能描述

    N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor

更新时间:2025-11-22 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
PHI
24+
NA/
780
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
PHI
25+
TO-263-5
790
原装正品,假一罚十!
恩XP
06+
TO-263
580
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
恩XP
23+
TO-263-5
21368
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
PHI
03+P
TO-263
780
PHI
25+23+
TO-263-5
28238
绝对原装正品全新进口深圳现货
恩XP
25+
SOT426
188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
恩XP
24+
TO-263
302
恩XP
22+
TO2635 D2Pak (4 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单

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