参数名称 属性值
Brand_Name NXP Semiconductor
是否Rohs认证 符合
零件包装代码 TO-262
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3
制造商包装代码 SOT226
Reach Compliance Code not_compliant
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas） 1008 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 120 A
最大漏极电流 (ID) 120 A
最大漏源导通电阻 0.00193 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 349 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 1228 A
参考标准 AEC-Q101;_IEC-60134
表面贴装 NO
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
