BUK7880-55 SOT223 NXP MOS(场效应管)

时间：2021-6-22 18:02:00

类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商： NXP USA Inc.

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 1mA

Vgs（最大值）： ±16V

功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）

工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

漏源电压（Vdss）： 55 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF @ 25 V

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BUK7880-55	N-channel TrenchMOS standard level FET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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2025-8-16 23:01:00