BU705晶体管资料
BU705别名：BU705三极管、BU705晶体管、BU705晶体三极管
BU705生产厂家：
BU705制作材料：Si-NPN
BU705性质：电视 （TV）_行输出 （HA）
BU705封装形式：直插封装
BU705极限工作电压：1500V
BU705最大电流允许值：2.5A
BU705最大工作频率：<1MHZ或未知
BU705引脚数：3
BU705最大耗散功率：75W
BU705放大倍数：
BU705图片代号：B-70
BU705vtest：1500
BU705htest：999900
- BU705atest：2.5
BU705wtest：75
BU705代换 BU705用什么型号代替：BU706,2SC3483,2SD1493,2SD1494,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BU705 | isc Silicon NPN Power Transistor 文件：106.26 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
BU705 | Silicon NPN Power Transistor 文件：135.11 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
BU705 | Trans GP BJT PNP 700V 2.5A | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 700V (Min) • High Switching Speed • Built-in Integrated Efficiency Diode APPLICATIONS • Designed for use in horizontal deflection circuits of TV receivers. | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor 文件：108.08 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Silicon NPN Power Transistor 文件：129.5 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Silicon NPN Power Transistor 文件：137.31 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Trans GP BJT NPN 700V 2.5A | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Trans GP BJT NPN 700V 2.5A | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Silicon NPN Power Transistor 文件：135.4 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor 文件：105.29 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Silicon Controlled Rectifiers Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Triode Thyristors . . . PNPN devices designed for high volume, low cost consumer applications such as temperature, light and speed control; process and remote control; and warning systems where reliability of operation is critical. • Small Size • P | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. 150.0 Watts Single Ended Package Style AM HIGH EFFICI | POLYFET | | ||
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features low feedback and output capacitances resu | POLYFET | | ||
GaAlAs Semiconductor Laser 文件：40.45 Kbytes Page：2 Pages | PANASONIC 松下 | | ||
Silicon MOS IC 文件：30.64 Kbytes Page：2 Pages | PANASONIC 松下 | |
BU705产品属性
- 类型
描述
- Configuration：
Single
- Material：
Si
- Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
5@0.9A@2AV
- Maximum Collector Emitter Voltage：
700V
- Maximum DC Collector Current：
2.5A
- Maximum Emitter Base Voltage：
5V
- Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
- Maximum Power Dissipation：
75000mW
- Maximum Transition Frequency：
7(Typ)MHz
- Type：
PNP
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
24+ |
BGA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
ST |
25+ |
TO-3P |
20000 |
原装，请咨询 |
|||
ST |
26+ |
TO-3P |
60000 |
只有原装 可配单 |
|||
ROHM |
22+ |
BGA |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
ROHM |
22+ |
BGA |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
|||
ROHM |
1136+ |
BGA |
3517 |
全新 发货1-2天 |
|||
ST |
2511 |
TO-3P |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
24+ |
TO-3PN |
10000 |
全新 |
||||
ROHM |
23+ |
BGA |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
ROHM/罗姆 |
24+ |
BGA |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
BU705规格书下载地址
BU705参数引脚图相关
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- ca121
- c960
- c903
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- c901
- C80
- c62f
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- c1008
- c1000
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- bul128
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- BU-70C
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