BU180晶体管资料
BU180别名：BU180三极管、BU180晶体管、BU180晶体三极管
BU180生产厂家：美国得克萨斯仪表公司
BU180制作材料：Si-N+Darl+Di
BU180性质：电视 （TV）_行输出 （HA）
BU180封装形式：直插封装
BU180极限工作电压：320V
BU180最大电流允许值：10A
BU180最大工作频率：<1MHZ或未知
BU180引脚数：3
BU180最大耗散功率：50W
BU180放大倍数：β>200
BU180图片代号：B-62
BU180vtest：320
BU180htest：999900
- BU180atest：10
BU180wtest：50
BU180代换 BU180用什么型号代替：BU284,BU289,BU826,
BU180价格
参考价格：￥8.9384
型号：BU180Z-178-HT 品牌：On Shore 备注：这里有BU180多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BU180批发/采购报价，BU180行情走势销售排行榜，BU180报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BU180 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：238.54 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
BU180 | Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：125.8 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
BU180 | Trans Darlington NPN 200V 10A | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
Trans Darlington NPN 200V 10A | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：126.4 Kbytes Page：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：95.48 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor . . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. • DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • BD180 is complementary with BD179 | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W) COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS | MOSPEC 统懋 | | ||
Silicon Power Transistor High Power Audio Amplifier Description: The NTE180 (PNP) and NTE181 (NPN) are silicon complementary transistors in a TO3 type case designed for use as output devices in complementary audio amplifiers to 100 watts music power per channel. Features: • High DC Current Gain: hFE = 25 – 100 @ IC = 7.5A • Excellent | NTE | | ||
500 mW DHD ZENER DIODE DO-35 DESCRIPTION NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application at customers, Vz (zener voltage) is classified into the tight tolerance und | NEC 瑞萨 | | ||
500 mW DHD ZENER DIODE DO-35 DESCRIPTION NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application at customers, Vz (zener voltage) is classified into the tight tolerance und | NEC 瑞萨 | |
BU180产品属性
- 类型
描述
- Number of Elements per Chip：
1
- Minimum Operating Temperature：
-55ﾡC
- Minimum DC Current Gain：
200@5A@5V
- Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
- Maximum Emitter Base Voltage：
8V
- Maximum Continuous DC Collector Current：
10A
- Maximum Collector Emitter Voltage：
200V
- Maximum Collector Base Voltage：
320V
- Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@20mA@4AV
- Configuration：
Single
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3PN |
10000 |
全新 |
||||
TI/德州仪器 |
23+ |
TO-3P |
39000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
26+ |
N/A |
63000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
ON |
25+ |
连接器 |
2963 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
OTHER |
23+ |
原厂正规渠道 |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
TI/德州仪器 |
26+ |
TO-3P |
8880 |
原装认准芯泽盛世！ |
BU180规格书下载地址
BU180参数引脚图相关
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- c960
- c903
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- c901
- C80
- c62f
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- BU135
- BU-13-4
- BU134
- BU133
BU180数据表相关新闻
BTT6200-4ESA
原装正品现货
2022-8-8BTT6200-1ENA电源开关 IC - 配电 芯片
BTT6200-1ENA
2022-2-11BTT6200-4ESA 进口原装现货 假一罚十
进口原装现货 价格实惠 支持实单
2021-11-18BU2090
BU2090，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-14BU2090F
BU2090F，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-14BU2090F-E2
BU2090F-E2 ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-6
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