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参考价格：￥2.6926

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BSZ100N06LS3 G	N 沟道功率 MOSFET	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSZ100N06LS3G	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：252 Kbytes Page：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSZ100N06NS	OptiMOSTM Power-Transistor 文件：697.5 Kbytes Page：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
ADM100N06	丝印代码：ADM100N06；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Fast Recovery Body Diode ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM100N06 series MOSFETs is a new technology, which combines an innovative super junction t	ADV 爱德微	ADV
ADM100N06Q	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS techno	ADV 爱德微	ADV
FIR100N06PG	丝印代码：FIR100N06P；N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：3.73479 Mbytes Page：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
HM100N06F	丝印代码：HM100N06F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：433.03 Kbytes Page：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

BSZ100N06L供应商更多...

更新时间：2026-3-11 23:00:00

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BSZ042N06NSATMA
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2022-6-8
BSZ340N08NS3G 原装正品现货MOSFET N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
支持实单价格优势有单必成
2022-4-26
BSZ340N08NS3 G MOSFET N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
原厂原装正品现货价格优势有单必成
2022-4-22
BSZ042N06NS 贴片TSDSON-8 场效应管 N-Ch 60V19A 全新原装现货
BSZ042N06NS
2022-2-24
BSZ042N06NS Infineon20+5000
BSZ042N06NS Infineon20+5000
2022-2-16
BSZ42DN25NS3GATMA1深圳市光华微科技有限公司18138231376
BSZ42DN25NS3GATMA1 - 晶体管， MOSFET， N沟道， 5 A， 250 V， 0.371 ohm， 10 V， 3 V
2019-7-15