型号：BSZ042N06NSATMA
制造商：INFINEON
封装：TSDSON-8
批号：21+
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类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS?
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.8V @ 36μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 27 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2000 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），69W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳 8-PowerTDFN
基本产品编号 BSZ042
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