BSZ100N03L价格

参考价格:¥1.8685

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N 沟道功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

OptiMOS?? Power-MOSFET

文件:339.8 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

Rectifier Diodes

FEATURES High density cell design for ultra low Rps(on) ® Excellent package for good heat dissipation Fully characterized Avalanche voltage and current ® Special process technology for high ESD capability Good stability and uniformity with high Eas Excellent package for good heat dissipation

EVVOSEMI

翊欧

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Featurese 30V, 100A Rosow 3.88mQ@Ves = 10V (Typ) «Advanced Trench Technology + Provide Excellent Rosco and Low Gate Charge « Lead free product is acquired

TECHPUBLIC

台舟电子

30V N-Channel Power

Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.8 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.4mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capacitances

UMW

友台半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.62203 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

90A竊?0V N-CHANNEL MOSFET

文件:212.13 Kbytes Page:5 Pages

KIA

可易亚半导体

BSZ100N03L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSZ100N03L

  • 功能描述

    MOSFET OptiMOS 3 M-Series

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-2 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
INFINEO
24+
SOP
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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PG-TSDSON-8
6820
只做原装,质量保证
INF
24+
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Infineon(英飞凌)
24+
TSDSON-8(3
11318
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
INFENION
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TDSON-8
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原装渠道现货库存价格优势
INFINEON问这边Q
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TDSON-8
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INFINEON问这边Q
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TDSON-8
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INF
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WDFN8
5000
原装正品,假一罚十
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QFN
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