BSO110N03价格

参考价格:¥1.5208

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N 沟道功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET

文件:318.18 Kbytes Page:9 Pages

Infineon

英飞凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:553.41 Kbytes Page:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

N-Channel MOSFET

文件:1.93729 Mbytes Page:4 Pages

KEXIN

科信电子

Product Scout Automotive

文件:5.67799 Mbytes Page:6 Pages

RENESAS

瑞萨

BSO110N03产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSO110N03

  • 功能描述

    MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-27 13:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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SOP-8
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